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1;1.1.1 能带理论 能带：是现代物理学描写固体中原子外层电子运动的一种图象。 孤立原子 两个原子 多个原子（晶格）; 金属（导体）; 半金属 有一些物质，它们的原子具有满充壳层，但在固体时由于最上面的满带和一个空带重叠的话，它们成为导体；人们常称这些物质为半金属。; 绝缘体; 对于具有与绝缘体同样能带图的硅和锗，由于原子的平衡间距下价带与导带之间的能隙要小得多( 在硅中为 1.1 eV，在锗中为 0.7 eV )，于是要将价带中最上面的电子激发到导带内时就容易得多了。图1.1.1-6 中示出这种情况。 半导体是这样一些绝缘体，它们的价带和导带之间的能隙约为 1 eV 或更小，因而比较容易用加热方法把电子从价带中激发到导带中。;电子跃迁导致： 在上面的导带中少数电子所起的作用和它们在金属中所起的作用相同 而价带中留下的空态即空穴起着类似的作用，不过它们好象是正的电子 因此，它们有来自导带中的激发电子和来自价带中的空穴的导电性；温度升高时，由于有更多的电子被激发到导带， 所以电导率随温度而迅速增加。 例：当硅晶体温度从250 K 增加到450 K 时，激发电子的数目增加106 倍。; 本征半导体 完全纯净和结构完整的半导体称为本征半导体。 N型半导体 P型半导体 ; N型半导体 每个硅或锗原子贡献4个电子给价带，而每个磷或砷原子贡献5个电子给价带，因此，如果我们把若干磷或砷原子加进硅或锗中，则每增加一个杂质原子，就多一个额外电子。 这些额外的电子(它们不能被容纳在原来结晶体的价带中)占有恰在导带下方的某些分立的能级；其距离可为十分之几电子伏特( 图1.1.1-7 a )。这额外的电子容易被杂质原子释放出来并被激发至导带。于是，激发电子对半导体的电导率有贡献。这种杂质原子，叫做施主；这种半导体叫做 n 型半导体。; P型半导体 杂质原子可以比半导体原子具有较少的电子。在基质物质为硅和锗的情况下，杂质原子可以是硼或铝，这两种原子都只贡献3 个电子。在这种情况下，杂质引进空的分立能级 ，这些能级的位置很靠近价带顶( 图1.1.1-7 b )。因此，容易把价带中一些具有较高能量???电子激发到杂质能级上。这个过程在价带中产生空态即空穴。这些电子起着正电子的作用。这种杂质原子叫做受主，这种半导体叫做 p 型半导体。;1.1.2 光电效应 光电效应 外光电效应 内光电效应 光电导效应 光伏效应 光电热效应;一、外光电效应（光电发射效应） 是指物体受到光照后向外发射电子的现象。 ; 2、光电发射第二定律 发射出光电子的最大动能随入射光频率的增高而线性地增大，而与入射光的光强无关。即光电子发射的能量关系符合爱因斯坦方程： ; 3、光电发射第三定律  当光照射某一给定金属或某种物质时，无论光的强度如何，如果入射光的频率小于这一金属的红限ν0 ，就不会产生光电子发射。显然，在红限处光电子的初速应该为零，因此，金属的红限为 ;4、光电发射的瞬时性 光电发射的瞬时性是光电发射的一个重要特性。实验证明，光电发射的延迟时间不超过3×10-13 s 的数量级。因此，实际上可以认为光电发射是无惯性的，这就决定了外光电效应器件具有很高的频率响应。  光电发射瞬时性的原因是由于它不牵涉到电子在原子内迁移到亚稳态能级的物理过程。 光电发射不仅发生在物体的表面层，而且还深入到阴极材料的深层，通常称为光电发射的体积效应。而前者则称为光电发射的表面效应。;光电导效应：是指固体受到光照而改变电导率的现象。 电导率正比于载流子浓度及其迁移率的乘积。 入射光的光子能量等于或大于与该激发过程相应的能隙 ΔE (禁带宽度或杂质能级到某一能带限的距离)。即光电导有一个最大的响应波长，称为光电导的长波限λC，若λC以μm计，ΔE以eV计，则λC与ΔE的关系为： λC = 1.24 / ΔE ; 热释电效应：是指某些晶体的电化强度随温度变化而释放表面吸附的部分电荷。