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微型计算机原理及应用(二)课程讲稿任课教师： 杨帮华部门： 自动化系Email：上海大学微型计算机原理及应用(一)第一章：微型计算机概述第二章：80X86微处理器的结构第三章：80X86微处理器的指令系统第四章：汇编语言程序设计考试:开/闭卷, 平时30%, 期末70%上海大学第五章 内存储器及其接口上海大学 内存储器及其接口存储器的分类存储器：存放信息（程序、数据）的器件内存：容量小、速度快, 存放当前运行的程序及数据外存：容量大、速度慢，存放当前未运行的程序及数据上海大学1 按位置分： 内存：存在于主机内, 容量小、速度快, 存放当前运行的程序及数据，通常由半导体存储器组成。 外存：存在于主机外, 容量大、速度慢，存放当前未运行的程序及数据，种类较多。磁盘存储器、磁带存储器和光存储器 2 按材料分： 半导体存储器、磁存储器、光盘存储器等。上海大学5.1 半导体存储器5.2 半导体存储器接口的基本技术5.3 16位和32位系统中的内存储器接口上海大学 5.1半导体存储器概述RAM芯片的结构、工作原理及典型产品ROM芯片的结构、工作原理及典型产品上海大学 概 述一、基本结构上海大学二、存储器中的数据组织存储字(字长)内存的字节编址存储字地址（a）为小数端存放（b）为大数端存放 都以最低地址24300H为双字地址。上海大学三、主要技术指标1.存储容量 — 指存储器可以容纳的二进制信息量，以存储地址寄存器编址数与存储字位数的乘积表示；(如M位地址总线、N为数据总线：2M×N) 6116 SRAM是2K*8 bit（位容量16K） 或2KB (2K字节) 2164 DRAM是64K*1 bit（位容量64K）组成64KB要用8片。2.存储速度 — 可以用两个时间参数表示，一个是“存取时间”（Access Time）TA上海大学 定义为从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间；另一个是“存储周期”（Memory Cycle）TMC，定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔；3.可靠性 — 用MTBF（Mean Time Between Failures，平均故障间隔时间）来衡量，目前约为5*106~1*108h左右。MTBF越长，可靠性越高。4.性能/价格比—综合性指标上海大学四、分类 SRAM RAM 内存储器DRAM ROM ROM EPROM E2PROM存储器FLASH MEMORY FLOPPY DISK DISK HARD DISK 外存储器 CD OPTICAL DISK DVD MO上海大学注意: 内存也可按器件组成分双极型：TTL电路组成，速度快、功耗小、集成度低单极型：MOS电路组成，集成度高、功耗低，速度也较快、价格便宜。上海大学RAM (random access memory): 掉电丢失,可读/可写/可改SRAM (static静态): 触发器存信息，功耗大、容量较小、 速度较快。 DRAM (dynamic动态): 电容存信息，功耗小、容量大、速度较慢, 须刷新1 .FPM DRAM2 .EDO DRAM3 .SDRAM4 .DDR SDRAM5 .DDR2 SDRAM上海大学ROM (Read Only Memory) 掉电不失, 只读可编程ROM,PROM (Programmable ROM)：程序和数据用户可一次写入，不可更改。可擦除的PROM,EPROM (Erasable PROM)：紫外线可擦除，可重新编程写入。 电可擦除PROM, E2PROM (Electrically Erasable PROM)：电 (电压) 可擦除，可重新编程写入 上海大学 Flash Memory 简称“闪存”，又称“快擦型存储器” 具有整片电擦除和部分电擦除的优点，具有耗电低、容量大、体积小、可靠性高、无需后备电池、可改写、重复使用性好等优点。 广泛应用于微型计算机系统中，用来存放主板和显卡上的BIOS，使BIOS的升级变得更容易。上海大学RAM芯片的结构、工作原理及典型产品一、内部结构上海大学1.SRAM的存储单元2.单管DRAM的存储单元破坏性读出，读出必重写上海大学二、SRAM典型芯片1. SRAM芯片HM6116上海大学11条地址线、8条数据线、1条电源线VCC和1条接地线GND；3条控制线 — 片选信号、 写允许信号 和输出允许信号 ；3个控制信号的组合控制6116芯片的工作方式。表 5—1 6116的工作方式方 式I/O引脚HXX未选中（待用）高阻LLH读出DOUTLXL写入DIN上海大学SRAM的读操作将需要读取的数据的地址送