OSRAM SFH 3410 NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics 数据手册说明书.PDF

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2022-09-01 发布于广东
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OSRAM SFH 3410 NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics 数据手册说明书.PDF

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NPN-Si-Fototransistor mit V Charakteristik λ Silicon NPN Phototransistor with V Characteristics λ SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich • Especially suitable for applications from von 350 nm bis 970 nm 350 nm to 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (V ) • Adapted to human eye sensitivity (V ) λ λ • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet • SMT package without base connection, für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten suitable for vapor phase and IR reflow soldering (JEDEC level 4) (JEDEC level 4) • Nur gegurtet lieferbar • Only available on tape and reel Anwendungen Applications • Umgebungslicht-Detektor • Ambient light detector • Beleuchtungsmesser • Exposure meter for daylight and artificial light • Dimmungssensor für Hintergrundbeleuchtung • Sensor for Backlight-Dimming • „Messen/Steuern/Regeln“ • For control and drive circuits tSilicon NPN Phototransistor with V Characteristics λ Typ Bestellnummer