《材料科学基础》第1章工程材料中的原子排列.ppt

2）作用在位错线上的力与位错线张力 （1）作用在位错线上的力 （a）公式推导 外力τ使长为l的位错移动了ds， τ作功dw1 假想有一力F作用于位错上，则F 作功dw2 有 单位长度位错线上的力： （b）说明 Fd∝τ，Fd∝b Fd⊥位错线，指向未滑移区 Fd为假象力，其方向与τ不一定一致。（如螺位错Fd⊥τ） （2）位错线张力 位错受力 弯曲 伸长 线张力 位错变直 能量↓ 能量↑ （a）线张力的概念 （b）作用 使位错变直——降低位错能量 相当于物质弹性——称之为位错弹性性质 类似于液体的表面张力。 （c）公式 C ——曲线形状因子 （d）实例—— 两端固定位错在τ下弯曲的问题 τ使位错弯曲，即r↓ T使位错变直，即r↑ 当二者平衡时 3）位错间的交互作用与位错塞积 （1）相互平行的位错之间的交互作用 同号位错相斥 体系能量下降 （a）同号位错： 异号位错相吸 （b）异号位错： 体系能量下降 异号位错合并，抵消或 b 减小 （2）相互垂直的位错之间的交互作用 —— 形成大小、方向等于对方 b 的割阶或扭折 割阶：不在原滑移面上的拐折。 扭折：在原滑移面上的拐折，不稳定，易消失，不影响滑移。 —— 位错交割 （3）位错塞积——位错与面缺陷的交互作用 位错滑移 障碍物 位错塞积 前端应力高度集中 交滑移、攀移 越过障碍物继续滑移 应力松弛 破裂 障碍物另侧塑变 遇到 产生 导致 结果 弯曲 卷曲 分裂增殖 变直 弗兰克-瑞德源（F-R源） …… 增殖过程 6. 位错的增殖 7. 实际晶体中的位错 1）全位错与不全位错 （1）实际晶体中的位错类型 简单立方： b≡点阵矢量 ——只有全位错 实际晶体： b = 点阵矢量 b＝点阵矢量整数倍 —— 全位错 其中b＝点阵矢量 ——单位位错 b≠点阵矢量整数倍 ——不全位错 其中b 点阵矢量 ——部分位错 （2）形成单位位错的条件 结构条件： 柏氏矢量为两原子平衡位置连线 能量条件： b越小，位错能量越小，稳定性越高 柏氏矢量＝最短点阵矢量 共同满足 bcc： fcc： hcp： 2）堆垛层错 （1）形成 密排堆垛次序有误 层错 面缺陷 形成 属于 fcc晶体的层错类型： 抽出型： 插入型： （2）特点 畸变很小，但仍有畸变能。 材料的层错能越低，层错数量越多。 3）不全位错（以面心立方为例） 局部区域层错 ——边界 ——b不等于点阵矢量 ——不全位错 肖克莱位错： 柏氏矢量在滑移面上——可以滑移 位错运动——相当于层错面的扩大或缩小 肖克莱位错类型——刃位错、螺位错、混合位错 位错线、柏氏矢量、滑移面共面——肖克莱位错线为平面曲线 弗兰克位错： 柏氏矢量垂直于滑移面——不可滑移，只能攀移 位错运动——相当于层错面的扩大或缩小 弗兰克位错类型——纯刃位错 可以是空间曲线 三、面缺陷 晶 界 孪晶界 相 界 小角度晶界 大角度晶界 外表面 内表面 1. 小角度晶界 1) 类型 （1）对称倾侧晶界 相邻晶粒各转θ/2 同号刃位错垂直排列 （2）不对称倾侧晶界 相互垂直的两组刃位错垂直排列 （3）扭转晶界 两组螺位错构成 2) 小角度晶界特点 θ10° 由位错构成 位错密度↑—— 位向差↑——晶格畸变↑——晶界能↑ 位错密度 —— 决定位向差与晶界能 位错类型与排列方式 —— 决定小角晶界的类型 注： 2. 大角度晶界 ——10°以上，一般在30°～40° 1）孪晶界 两晶粒沿公共晶面形成镜面对称关系 2）相界 相邻两相之间的界面 3．孪晶界与相界 3）分类 孪晶界(相界)点阵完全重合——共格 孪晶界(相界)点阵基本重合——部分共格+位错——半共格 孪晶界(相界)点阵完全不重合——非共格 4．晶界能 表现形式：界面张力 * 2）柏氏矢量表示法 对于立方晶系 a = b = c 模： 例： 例： 例： 3）三种位错柏氏矢量的特点 刃位错 垂直 主要是正应力 螺位错 平行 纯剪应力 混合位错 一定角度 复杂 位错类型 柏氏矢量与位错线关系 畸变应力场 4）位错正、负（左、右）的确定 刃位错： 有晶体图时用右手法则 ——中指b方向，食指位错线方向，拇指：上正下负 无晶体图时用旋转法 ——b顺时针方向转90°，与位错线方向：顺正逆负 人为规定位错线方向 L L 螺位错： 有晶体图时与螺纹判断方法一致 ——左手左螺，右手右螺 无晶体图时用旋转法 ——b与位错线方向：顺右逆左 正负（左右）均为相对而言，位错线方向改变，正负、