九江汽车功率半导体项目建议书.docx

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泓域咨询/九江汽车功率半导体项目建议书 九江汽车功率半导体项目 建议书 xxx集团有限公司 报告说明 在电动汽车应用领域,IGBT芯片性能优化的思路基本为:在沟槽精细化的基础上,采用薄片工艺并优化背面缓冲层设计,再结合优良的终端结构提高芯片耐压等级;将IGBT芯片和反并联二极管整合于一体,形成RC-IGBT结构,进一步提升芯片电流密度;芯片上集成温度/电流传感器,门极驱动电阻以及RC芯片,有利于提高芯片长期运行的可靠性。 根据谨慎财务估算,项目总投资18679.36万元,其中:建设投资14644.87万元,占项目总投资的78.40%;建设期利息423.88万元,占项目总投资的2.27

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