云南存储器芯片项目建议书（参考模板）.docx

泓域咨询/云南存储器芯片项目建议书 报告说明 近年来，NORFlash存储芯片技术在产品工艺制程方面处于迭代期，制程会影响芯片功耗、存储芯片密度与单位芯片面积。相同存储容量，制程越小，芯片功耗越低，芯片单位面积成本越低。目前市面上主流产品仍使用55nm与65nm制程，为满足下游客户低功耗、小型化的要求以及降低生产成本，提高竞争力，行业内头部厂商正在研发50nm或55nm制程产品，并逐步实现量产，上市销售。部分行业领先的厂商正研发4Xnm工艺节点的产品，但能实现量产的厂商屈指可数。 根据谨慎财务估算，项目总投资5670.14万元，其中：建设投资4633.83万元，占项目总投资的81.72%；建设