DB13_T5120-2019光通信用FP、DFB半导体激光器芯片直流性能测试规范.pdfVIP

ICS 31.260 M 31 DB13 河 北 省 地 方 标 准 DB 13/T 5120—2019 光通信用FP、DFB 半导体激光器芯片 直流性能测试规范 2019 - 11 - 28 发布 2019 - 12 - 28 实施 河北省市场监督管理局 发 布 DB13/T 5120—2019 前 言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由中共河北省委军民融合发展委员会办公室提出。 本标准起草单位：河北圣昊光电科技有限公司、河北圣源光电股份有限公司、中国电子科技集团 公司第十三研究所。 本标准主要起草人：杨勇峰、张智峰、杨红伟、张坤伟、苗惠霞、申卫、赵莉娜、杜海洋、牛超 繁。 I DB13/T 5120—2019 光通信用FP、DFB 半导体激光器芯片直流性能测试规范 1 范围 本标准规定了光通信用FP、DFB半导体激光器芯片主要直流光电参数的测试及计算方法。 本标准适用于光通信用FP、DFB 半导体激光器芯片的测试。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的，凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB 7247.1 激光产品的安全 第1部分：设备分类、要求 GB/T 10320 激光设备和设施的电气安全 GB/T 15313 激光术语 GB/T 31358 半导体激光器总规范 3 术语、定义和缩略语 3.1 术语和定义 GB/T 15313、GB/T 31358 界定的术语和定义适用于本文件。 3.2 缩略语 下列缩略语适用于本文件。 BP —— 背光功率 o FFPV —— 垂直发散角 FFPH —— 水平发散角 I —— 指定电流 fn I —— 扭折点电流 K I —— 最大驱动电流 max I —— 指定功率点电流 op I —— 反向电流 r I —— 饱和电流 sat I —— 阈值电流 th Kink —— 扭折点 K —— 波长-温度漂移系数 PEAK —— 峰值 P —— 指定电流下的功率值 f P —— 扭折点功率 K Pmax —— 最大光功率值 1 DB13/T 5120—2019 P —— 输出光功率 o Rd —— 电阻 SE —— 斜率效率（微分效率） SMSR —— 边模抑制比 STBND —— 抑制频带 V —— 正向电压 f V ——指定电流下的正向电压值 fn V —— 指定功率点电压 op V —— 反正电压