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半导体测试概论 The Concept of Semiconductor Testing 第一章 电子学的基本概念第三节基本数位逻辑闸 Inverter反向器 反向器，是一个最基本的逻辑电路。具备一支输入脚(Input Pin)及一支输出脚 (Output Pin) ,它主要功能，是将逻辑1的值改变为逻辑0的值。 AND 闸 AND闸的主要功能，其输出脚的逻辑值，是依所有输入脚的逻辑值而定。当所有输 入脚的逻辑值为1时，那么其输出脚的逻辑值为1。同时，当有一支输入脚的逻辑值为0 时，其输出脚的逻辑值那么为0。其输入脚数量可以2支以上，也可以只有一支输入脚。 一般而言，利用基本逻辑闸，所组合设计而成的电路(例如利用AND、OR闸等)，称为 逻辑电路。 1-8 第五章直流参数测试 ■ Static IDD参数量测 Static IDD是在静态的操作条件下，所量到的耗电流量。一般会希望量到5 Device的最小耗电量。如果Device有设计省电模式时，Static IDD就是省电模 式下的最小耗电量。这个参数的量测，对于使用电池装置的设备而言，是相当重 要的一项测试。下面这个表格为IDD Static电流参数规格表的范例。 Symbo1 Description Test Condi t ion Min Typ Max Uni t IDD Static Power Supply Current Vdd=5. 5V 一 15 20 mA 此规格表的测试条件，供应电压Vdd=5. 5V。其IDD Static电流量不可大于 20mA。其测试方法与前面的Gross IDD参数，大致相同。最大的差异在Precondition 测试矢量。这个测试矢量的主要目的，是让Device迸入最小耗电量的状态之下， 并维持此状态直到Static IDD电流量测结束为止。通常在量测此参数时，会影响 此参数的原因，有以下几项因素。例如：VIH、VIL、VDD、Test Pattern、及输出 负载等因素。当然，这个测试矢量TC设计者会提供最正确的Pattern以便测试。 如果无法提供时，必须藉由实验的方式，来取得此一 Pattern ° Pattern的正确性， 决定了是否能量测到此一 Static IDD耗电流。 测试时要特别注意到，如果规格表中的Static IDD条件，是一个很小的电流 量时请在量测前增加一点延迟时间(Delay Time/Settling Time)。一般的测试 设备，尤其在Probe Card制作时，测试Channe 1到Power Pin之间会加焊一个 By-Pass电容，此电容是防止低频噪声的干扰。这样的情况下，会影响到Static IDD 参数的量测。某些状况下，必需稍加修改一下Probe Card并加装一些继电器 (Relay)，在量测的过程中，利用Relay将By-Pass电容断接(disconnect) 5再量 测 Static IDD 参数。 ▲ Static IDD参数量测步骤： 使用DPS或PMU单元，供应VDDmax电压到Vdd脚。 设定 Precondition Pattern 并执行。 ⑶停止Pattern ° (4)延迟 1?5msec ° (5)使用PMU单元，量测Vdd脚上的IDD电流。 (6)判断 Pass 或 Fail °5-23 第五章直流参数测试Static IDD耗甯流量测 (①?供JBVdd=Vddm＜】x雨厘(3)用安培量雨流②Precondition最小耗雨流的Pattern ⑤判BSP口ssH (?) MS 15 msec 图5-13 Static IDD耗电流量测示意图。 ■ Dynamic IDD参数量测 动态耗电流量测，是Device在动态的操作条件下，也就是让晶体管开关切换 比拟频繁的情况下，来量测耗电流量。重点还是在Precondition测试矢量，如何 到达此动态的条件。以下是一个范例， Symbol Description Test Condition Min Max Uni t IDD Dynamic Power Supply Current Vdd=5. 5V, f=fMax(100MHz) — 20 mA 这个效例5是说明在Dynamic IDD测试时的条件。电源电压为5. 5V，而操作 频率为100MHz °此时所量出来的耗电流量，不可大于20mA ° Vdd = Vddmax = 5. 5V ° 这个条件，是希望Device在最糟的情况，是否仍满足规格的要求。一般Dynamic IDD 的量测，是希望Device在频繁的操作环境下，所量得的最大耗电量。与前面两种 IDD最大的不同，还是在于Precondition Pattern °其它量测时应配合或注意的 事项