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泓域咨询/孝感IGBT项目商业计划书
孝感IGBT项目
商业计划书
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报告说明
晶体管是能够提供电功率放大并具有三个或更多电极的一种半导体器件。根据主要工艺，可以把晶体管分为双极晶体管和场效应晶体管。双极晶体管属于流控器件，响应速度快，驱动能力强；场效应管属于压控器件，输入阻抗高，功率消耗相对较低。IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的功率半导体分立器件，它的控制极为绝缘栅场效应晶体管，输出极为双极型功率晶体管，因而兼有两者速度和驱动能力的优点，克服了两者的缺点。
根据谨慎财务估算，项目总投资23121.76万元，其中：建设投资18163.28万元，占项目
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