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- 2022-09-21 发布于北京
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SU3500 技术指标
二次电子图像分辨率：3.0nm at 30kV (高真空模式)
7.0nm at 3kV (高真空模式)
背散射电子图像分辨率：4.0nm at 30kV (低真空模式)
10.0nm at 5kV (高真空模式)
放大倍率：×5- ×300，000
加速电压：0.3-30kV
低真空范围：6-650 Pa(通过菜单设置)
电位移：±50 微米 （工作距离为10mm 时）
最大样品尺寸：直径200mm
样品台
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