SVS11N65DD2 超结MOS管国产650V11A_骊微电子.pdf

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2022-09-27 发布于广东
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士兰微电子 SVS11N65D/F/S/FJD2 说明书 11A, 650V 超结 MOS功率管描述 2 SVS11N65D/F/S/FJD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使 1 得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。 1 3 此外，SVS11N65D/F/S/FJD2 应用广泛。如，适用于硬/软开关拓 3 扑。 1.栅极 2.漏极 3.源极 TO-263-2L 特点 1 2  11A,650V, RDS(on)(典型值)=0.33@VGS=10V 3 TO-220FJ-3L  创新高压技术  低栅极电荷 1  定期额定雪崩 3 12 3  较强dv/dt 能力 TO-252-2L TO-220F-3L  高电流峰值产品规格分类产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式 SVS11N65DD2TR TO-252-2L 11N65DD2 无卤编带 SVS11N65FD2 TO-220F-3L 11N65FD2 无卤料管 SVS11N65SD2 TO-263-2L 11N65SD2 无卤料管 SVS11N65SD2TR TO-263-2L 11N65SD2 无卤编带 SVS11N65FJD2 TO-220FJ-3L 11N65FJD2 无卤料管极限参数(除非特殊说明，T =25C) C 参数范围参数符号