模拟电子技术基础（第2版）黄丽亚-习题答案.docVIP

第一章 答案 在一本征硅中，掺入施主杂质，其浓度=cm。 （1）求室温300K时自由电子和空穴的热平衡浓度值，并说明半导体为P型或N型。 （2 若再掺入受主杂质，其浓度=cm，重复（1）。 （3）若==cm,，重复（1）。 （4）若=cm，=cm，重复（1）。 解：（1）已知本征硅室温时热平衡载流子浓度值= cm，施主杂质=cm = cm，所以可得多子自由浓度为 =cm 少子空穴浓度 ==cm 该半导体为N型。 （2）因为=cm，所以多子空穴浓度 cm 少子电子浓度 ==cm 该半导体为P型。 （3）因为=,所以 = = =cm 该半导体为本征半导体。 （4）因为=1010=9910（cm），所以，多子自由电子浓度 = cm 空穴浓度 ===2.2710（cm） 该导体为N型。 当T=300K时，锗和硅二极管的反向饱和电流分别为A和0.5pA。如果将此两个二极管串联连接，有1mA的正向电流流过，试问他们的结电压各为多少？ 解：T=300K时，热电压 =26mV 二极管正偏时，I=exp 对于硅管：=ln=556.4mV 对于锗管：=ln=179.6mV 二极管电路如图1.3所示。已知直流电源电压为6V，二极管直流管压降为0.7V。 （1） 试求流过二极管的直流电流。 （2）二极管的直流电阻和交流电阻各为多少？ + + 6V D R 100 图1.3 解：（1）流过二极管的直流电流也就是图1.3的回路电流，即 ==53mA (2) ==13.2 ===0.49 二极管电路如题图1.4所示。 （1）设二极管为理想二极管，试问流过负载的电流为多少？ （2）设二极管可看作是恒压降模型，并设二极管的导通电压V，试问流过负载的电流是多少？ （3）设二极管可看作是折线模型，并设二极管的门限电压V，，试问流过负载的电流是多少？ （4）将电源电压反接时，流过负载电阻的电流是多少？ （5）增加电源电压E，其他参数不变时，二极管的交流电阻怎样变化？ D D 题图1.4 10V + E RL 100 解：（1）mA （2）mA （3）mA （4） （5）E增加，直流电流增加，交流电阻下降。 二极管电路如题图1.5所示。设二极管的导通电压为0.7V，，，E=1.7V，(mV), 和容量足够大，对ui信号可视作短路。 （1）求流过二极管的直流电流ID。 （2）求输出电压uo的值。 u ui uo + 题图1.5 C1 R1 R2 C2 E V 解：（1）直流等效电路如答图1.5（a）所示；交流等效电路如答图1.5(b)所示。 R R1 R2 UD (a) R1 R2 rD (b) + ui + uo 答图1.5 E （2）mA （mV） 在图1.6所示各电路中，设二极管均为理想二极管。试判断各二极管是否导通，并求Uo的值。 题图1.6 解：(1)在图(a)中，V2导通，V1截止，U0＝5V。 (2)在图(b)中，V1导通，V2截止，U0＝0V。 (3)在图(c)中，V1、V2均导通，此时有 二极管限幅电路如图1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型，且UD(on)=0.7V。若ui＝5sinωt(V)，试画出u0的波形。 题图1.7 解：(1)在图(a)中：当ui＞一2.7V时，V管截止，u0＝一2V；当ui≤一2.7V时，V管导通，u0＝ui。当ui＝5sinωt(V)时，对应的u0波形如图答图1.7(a)所示。 (2)在图(b)中：当ui＞1.3V时，V管截止，u0＝ui；当ui≤1.3V时，V管导通，u0＝2V。其相应波形如答图1.7 (b)所示。 答图1.7 二极管电路如题图1.8（a）所示，设V1和V2均为理想二极管。 （1） 试画出电路的传输特性（ui与uo特性曲线）。 （2）假定输入电压如题图1.8 (b) 所示，试画出相应的uo波形。 1212k12k 12 12k 12k V1 V2 + _ 12V _ + 10V + _ 6k (a) + _ uo 15 0 ui/V (b) 题图1.8 解：（1） 当12V，且ui V,和同时截止，则uo =ui；当ui 12V 时，导通，截止，此时电路可简化成答图1.8(a)。 +_ + _ + 12V _ (a) + ui + _ + uo _ (b) 10V 812 8 12 ui/V -8 -10 -12 -16 -4 -8 -12 -16 4 8 12 16 uo/V (c) 15 0 ui/V (d) 14 0 答