半导体二极管及其应用电路 (2).pptVIP

1.2.2二极管的V-I特性 正向特点: ①正向电压较小时,不足以使二极管导通, i=0,此时的V-I曲线对应区域称为死区 ②正向电压逐渐增大,二极管开始导通,此时的电压成为门坎电压Uth 硅管Uth=0.5V 锗管Uth=0.1V ③当正向电压继续增大,二极管完全导通.导通后两端电压基本为定值,称为二极管的正向导通压降VD 硅管VD=0.7V 锗管VD=0.3V 第29页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.2二极管的V-I特性 二．反向特性 指二极管反偏时的V-I特性,如图中绿色曲线所示。 二极管外加反向电压时，反向电流很小（I≈-IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。 iv/mA 0.2 0.4 0.6 0.8 -V（BR） 硅 锗 二极管伏安特性曲线 第30页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.2二极管的V-I特性 三．二极管的等效电路模型 （1）理想电路模型 反偏时，反向电流近似为零，相当于开关断开（开路). - u + 正偏时，其管压降为0.7V，忽略后相当于开关闭合（短路）. + u - 第31页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.2二极管的V-I特性 （2）恒压降模型 反偏时，反向电流近似为零，相当于开关断开（开路). - u + 正偏时，管压降为VD不做忽略,正向电阻小近似为0,相当于一个大小为VD,方向从P到N的电压源. + u - + VD - 第32页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.3二极管的主要参数 器件的参数是对其特性的定量描述, 是正确使用和合理选择器件的依据. 一、二极管的直流参数 （1）最大整流电流IFM （2）最高反向工作电压URM （3）反向电流IR （4）直流电阻RD 第33页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.3二极管的主要参数 二、二极管的交流参数 （1）交流电阻rd 交流电阻rd是工作点Q附近电压与电流的变化量之比，即 ： 第34页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.3二极管的主要参数 （2）结电容Cj PN结的结电容Cj由两部分组成：势垒电容CB和扩散电容CD。 ①势垒电容CB 势垒电容的影响主要表现在反向偏置状态时。 ②扩散电容CD 该等效电容是由载流子的扩散运动随外电压的变化引起的. 第35页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.3二极管的主要参数 （3）最高工作频率fM 二极管的最高工作频率fM主要由结电容的大小来决定。 若工作频率超过了最高工作频率fM，则二极管的单向导电性变坏。 第36页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.4二极管的命名 我国国产半导体器件的命名方法采用国家GB249-74标准。 第37页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.4二极管的命名 第38页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.5二极管的检测与判别 一、判别方法： 识别法：通过二极管管壳上的符号、标志来识别.例如有标记的一端一般为N极. 检测法：用万用表的欧姆档，量程为R×100Ω或R×1kΩ档测量其正反向电阻 （一般不用R×1Ω档，因为电流太大；而R×10kΩ档的电压太高，管子有被击穿的危险）. 第39页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.5二极管的检测与判别 第40页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.5二极管的检测与判别 二、检测法判别步骤 （1）二极管好坏的判别 若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。 若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。 若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。 第41页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.2.5二极管的检测与判别 （2）二极管正、负极性的判断 将万用表红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。 第42页，共61页，编辑于2022年，星期二 1.3 特殊二极管 1.3.1 硅稳压二极管 1.3.2 光电二极管和光电池 1.