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第1页,共11页。 意义 由于电压基准源的上述特性,其在集成电路的设计中扮演极其重要的作用。尤其各种DAC,ADC,传感器芯片,检测芯片,电源管理类等芯片中广泛使用! 电压基准源通常要求具有较高的精度和稳定度: 不随电源电压变化 不随温度变化 不随半导体工艺变化 而目前产业界用得最多的电压基准源就是带隙基准电压源,几乎在绝大多数的芯片都能看到带隙基准电压源的身影!在模拟集成电路设计的三大教材中也专门对此进行了讲解说明: 第2页,共11页。 原理 半导体工艺中具有正温度系数和负温度系数的两种电压: 负温度系数的PN结电压VBE 正温系数的热电压VT 为了产生零温度系数电压基准信号可将负温度系数的PN结电压VBE和正温度系数的热电压VT进行组合即可实现,这样就会得到零温度系数(ZTC:Zero Temperature Coefficient)带隙电压基准源。 那么我们首先来回顾一下上面提到的两种随温度变化的电压: PN结结电压 热电压 第3页,共11页。 原理 将与绝对温度呈正比例变化的电压VT 和与绝对温度呈反比例变化的电压VBE进行线性组合从而产生带隙电压基准源。 因此令 利用上面的正、负温度系数电压,我们可以设计出一个令人满意的零温度系数带隙基准电压源: 第4页,共11页。 原理 室温附近: 要获得零温度系数的电压基准源,那么: 零温度系数带隙基准电压源: 第5页,共11页。 传统基准源电路 由此可设计电路,假设取n=7,令R1=26k,计算得R2=260k PPM= 由图可知此基准源电路Q2与Q1电压差为: (1) 运放处于深度负反馈状态,使得运放两输入节点电压相等,故: 由于M1和M2镜像作用,I1=I2,将(1)(2)代入得: (2) (3) 将(3)与 联立可得: 第6页,共11页。 实验电路仿真 已知既定温漂系数PPM为17.2,且n=7,因为R1为26k,由公式 可推出R2,取整后暂时R2设置为260k. 实验所用如下仿真电路图,图中使用NMOS管、PMOS管、三极管PNP管构成如原理图中的电路,其中MOS管宽长比为10/2um、三极管设定面积倍数关系为7倍。图中MOS管均处于饱和状态。 第7页,共11页。 实验电路仿真 电阻R2初始值为260k时,输出电压随温度变化而变化的曲线。 第8页,共11页。
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