光吸收光发射PPT课件.pptxVIP

半导体材料能带结构; 各类固体材料的吸收光谱其具体情况可以有很大差别。通常以一个假设的半导体吸收光谱为典型例子。;在它的低能量端，吸收系数陡然下降，称为吸收边缘。边缘界限对应于价带电子吸收光子（hν=Eg）跃迁至导带的长波限,波长大于此限的光(hν＜Eg)不能引起本征吸收。; 当光波长稍长于吸收边缘界限，若晶体是理想完整的，禁带内没有杂质或缺陷能级，这时的光吸收只能把电子激发到禁带中的某些能级上。;在自由载流子吸收区中，当光波长处于20～50μm时，存在有入射光子和晶格振动之间的相互作用所引起的一组新的吸收峰。离子晶体吸收系数可达105cm－1，同极晶体吸收系数约为10～102cm－1。; 杂质吸收因固体材料及材料中杂质各类而异。假设杂质具有浅能级（约0.01eV，这种杂质吸收仅在较低温下（使kT〈杂质电离能，k为玻尔兹曼常数〉，才能被观察到。 与磁性材料有关的自旋波量子吸收和回旋共振吸收是固体物理研究范畴，这里不作讨论。;2．2．1 本征吸收; 两种类型的半导体： 直接带隙半导体 导带中最低能量状态的波矢值k*min（通常在k=0处）和价带中最高状态的波矢值kmax相同； 化合物半导体GaAs，GaSb，InP，InS和Zn，Cd，Pb硫属化合物等。 ; 1）直接跃迁 直接跃迁是在两个直接能谷之间的跃迁