半导体中杂质和缺陷能级PPT课件.pptxVIP

2.1 硅、锗晶体中的杂质能级2.1.1 替位式杂质 间隙式杂质Si和Ge都具有金钢石结构，一个原胞含有8个原子。原胞内8个原子的体积与立方原胞体积之比为34%，原胞内存在66%的空隙。金钢石晶体结构中的四面体间隙位置金钢石晶体结构中的六角形间隙位置2.1 硅、锗晶体中的杂质能级SiSiSiSiSi杂质原子进入半导体硅后，只可能以两种方式存在。一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，常称为间隙式杂质；间隙式杂质原子一般较小，如离子锂（Li+）。SiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSiSiSiSi另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格格点处，常称为替位式杂质。替位式杂质原子通常与被取代的晶格原子大小比较接近而且电子壳层结构也相似。 用单位体积中的杂质原子数，也就是杂质浓度来定量描述杂质含量多少，杂质浓度的单位为1/cm3SiSiSi-SiP+SiSiSiSi2.1 硅、锗晶体中的杂质能级2.1.2 施主杂质、施主能级 磷替代硅，其效果是形成一个正电中心P+和一个多余的价电子。这个多余的价电子就束缚在正电中心P+的周围（弱束缚）。 施 主 掺 杂（掺磷）多余价电子+4+4磷原子+5+4Ⅴ族元素有5个价电子，其中的四个价电子与周围的四个硅原子形成共价键，还剩余一个电子，同时Ⅴ族原子所在处也多余一个正电荷，称为正离子中心，所以，一个Ⅴ族原子取代一个硅原子，其效果是形成一个