单层MoS2（1-x）Se2x合金的合成及MoS2（1-x）Se2x（x=0.25）场效应晶体管的光电特性.docx

摘要 二硫化钼的合金化/掺杂是探索二维材料在微电子器件中潜在应用的一种新途径。使用化学气相沉积法，并利用氯化钠辅助生长，通过调节硫粉和硒粉的质量比，在SiO2/Si衬底上获得了6种不同组分的单层MoS2（1-x）Se2x合金，光致发光峰位置在678（~1.83 eV）~813 nm（~1.53 eV）范围内变化。连续生长的大面积单层MoS2（1-x）Se2x?（x=0.25）合金的横向尺寸可达到200 μm。为了研究MoS2（1-x）Se2x合金的光电特性，使用了大面积生长的单层MoS2（1-x）Se2x?（x=0.25）合金制备了场效应晶体管。光电测试结果表明，520 nm激光照射下的单层M