专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》试卷答案.pdfVIP

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》 一、 （共75题,共150分） 1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番 （2分） A.12 B.18 C.20 D.24 .标准答案：B 2. MOS管的小信号输出电阻 是由MOS管的（）效应产生的。 （2分） A.体 B.衬偏 C.沟长调制 D.亚阈值导通 .标准答案：C 3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。 （2分） A.亚阈值区 B.深三极管区 C.三极管区 D.饱和区 .标准答案：D 4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。 （2分） A.夹断 B.反型 C.导电 D.耗尽 .标准答案：A 5. （）表征了MOS器件的灵敏度。