硅漂移探测器数字脉冲处理技术.docx

1.?? 引　言 硅漂移探测器(silicon drift detector, SDD)是由高阻硅制成的X射线探测器, 相比于Si-PIN等探测器, SDD器件采用侧向耗尽结构设计, 电荷输运电场与探测器耗尽电场相对独立, 电荷收集极电容与探测器面积无关, 使收集极电容非常小, 因而具备优异的能量分辨率和计数率性能[1-5]. 由于这些显著优势, SDD被广泛应用于粒子物理实验、材料元素分析和脉冲星导航等领域[6-9].? SDD读出电路及其脉冲处理对系统性能起着关键作用. 基于互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)技