CCD电子辐照效应三维蒙特卡罗模拟研究.docx

电荷耦合元件(CCD)因其体积小、分辨率高等优点被广泛应用于航天领域中。但是工作在低地球轨道(LEO)的航天器将面临宇宙射线、地球捕获辐射等多种辐射源影响，其CCD器件暴露在大量电子的辐照环境下[1-2]。在长期的空间环境任务中，电子将与CCD相互作用，使其组成材料受到不同程度的辐照损伤，影响材料的性能，从而导致其功能退化甚至失效[2-5]。 K.D.Stefanov等人[6]研究了两相电荷耦合器件的表面和体辐射损伤效应；在辐射强度为4.3×1016?电子/cm2的辐照条件下，计算了剂量率，研究了器件的暗电流和CTI。李豫东等人[7]通过开展不同注量率电子辐照试验，在辐照与退火过程中考察CCD