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2022-11-13 发布于四川
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本实用新型提供了一种发光二极管，包括：衬底；外延层，包括依次堆叠于所述衬底上的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反；透明导电层，位于所述外延层的部分表面，所述透明导电层与接触的所述外延层的掺杂类型相反；电流扩展层，覆盖所述透明导电层且延伸至所述外延层上，所述电流扩展层与接触的所述外延层的掺杂类型相同；反射层，位于所述透明导电层上方的电流扩展层上；第一电极，位于所述反射层上。本实用新型的技术方案使得在增加电流横向扩展长度的同时，还能提高光提取效率

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 217788432 U (45)授权公告日 2022.11.11 (21)申请号 202222035507.3 (22)申请日 2022.08.03 (73)专利权人厦门士兰明镓化合物半导体有限