一种车规级4H-SiC基超结功率MOSFET元件.pdfVIP

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2022-11-13 发布于四川
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本实用新型公开了一种车规级4H‑SiC基超结功率MOSFET元件，其元细胞结构包括栅极、源极与漏极，耐压层设于缓冲阻挡层的上方，在耐压层的左侧设置栅极，在耐压层的右侧设置半导体体区，半导体源区位于半导体体区内，栅极覆盖在部分耐压层的上侧表面以及部分半导体体区与部分半导体源区的左侧表面，在半导体体区还形成有沉降槽，在沉降槽内设置源极，半导体衬底层覆盖在缓冲阻挡层的下表面并形成有漏极；缓冲阻挡层按照厚度分为两部分，较厚的一部分位于所述第一半导体漂移区以及部分第二半导体漂移区的下方，较薄的一部分位于所

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