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本实用新型涉及一种UHF近场RFID阅读器天线,首先构造了改进型Yagi‑Uda偶极子阵列,既能通过激励单元、寄生单元使得天线产生均匀的磁场,扩大识别区域;又能通过吸收单元吸收能量,使得在天线面积之外磁场强度急剧减弱,避免产生误读问题;更重要的,因半波偶极子的末端电流接近0A,所以通过设置至少两个共线摆放的该改进型偶极子阵列,能够增强此处磁场,沿着偶极子方向产生均匀近场磁场,结合Yagi‑Uda天线的行波特性,能够在更小的天线面积内产生我们所需的近场磁场分布。因此,本实用新型的UHF近场RFID
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 217788780 U
(45)授权公告日 2022.11.11
(21)申请号 202221706041.9
(22)申请日 2022.07.01
(73)专利权人 长沙盈芯半导体科
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