一种基于QFN外形的GaN半导体封装框架.pdfVIP

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2022-11-17 发布于四川
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一种基于QFN外形的GaN半导体封装框架.pdf

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本实用新型提供了一种基于QFN外形的GaN半导体封装框架，包括框架本体，其内置有基料，基料被分隔为多个芯片搭载模块，每个芯片搭载模块包括基岛和置于基岛一侧的栅极管脚和漏极管脚，且所述基岛、栅极管脚和漏极管脚之间留有间隙，每相邻的两个芯片搭载框架之间设有连接条，所述栅极管脚和漏极管脚分别通过自身外侧的第二连接头与连接条连接形成一整体，所述基岛两侧分别通过自身两侧的第一连接头与连接条连接成为一整体。本实用新型采用连接条将加工后的基料形成的基岛和管脚连接形成一整体，防止芯片搭载模块散落，以便于mosf

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 217822788 U (45)授权公告日 2022.11.15 (21)申请号 202222083335.7 (22)申请日 2022.08.09 (73)专利权人中科华艺（天津）科技有限公司地址