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北京射频前端芯片研发项目可行性研究报告（范文）.docx

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    泓域咨询/北京射频前端芯片研发项目可行性研究报告 北京射频前端芯片研发项目 可行性研究报告 xxx有限责任公司 报告说明 进入5G时代，手机射频功率放大器所需的调制带宽从4G时代的20MHz提升至160MHz，对线性度和效率的要求也相应提升，对PA的材料提出更高的要求。硅基功率放大器主要用于低端的2G手机和通信模块中，GaAs主要用于智能手机、路由器和5G小基站中；GaN则是一种相对较新的技术，能实现更高的电压，大幅简化输出合成器、减少损耗，因而可以提高效率，减小芯片尺寸，但由于开启电压较高和成本较高，GaN目前还主要用于5G基站中。下一代材料GaN在工作频率、输出功率等方面优势显著

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