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兰州交通大学毕业设计(论文) 利用霍尔效应法测钢丝的杨氏模量 第一章 霍尔元件的原理、结构及特性 第一节 霍尔元件的原理、结构 所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生 横向电位差的物理现象。金属的霍尔效应是1879 年被美国物理学家霍尔发现的。 当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会 出现横向电位差。 一、霍尔传感器的原理 I 如图 1 所示，在一个 N 型半导体薄片相对的两侧面通以控制电流 ，在薄 B 片的垂直方向加以磁场 ，则由于洛仑磁力作用在半导体载流片两端，产生一 I 个与控制电流 和磁场 B 乘积成正比的电动势 ，即霍尔电动势: U H 图1 霍尔效应原理图 U = K I B （1） H B 式中 为灵敏度。 K B d 设霍尔元件的厚度为 ，单位体积内的自由电子数为 ，电子的电量为 ， n e 电子运动速度方向与磁感应强度方向间的夹角为 ，则求得 a IB UH = sin a (2) d 1 R a 式中 = ，称为霍尔系数。当 =0 时 H ne IB UH = RH (3) d I U B 从(1)可知，当控制电流 不变时，霍尔传感器的输出电压 与磁场大小 H 成正比，所以测得电压便可以测量霍尔传感器周围的磁感应强度；当磁感强度不 变时，便可以测得通过霍尔片的电流、电压、功率等参数；由(2)式可知，当通 - 1 - 兰州交通大学毕业设计(论文) 过霍尔传感器的电流、周围的磁感应强度不变时，转动霍尔片，通过霍尔片的磁 通量变化，产生的霍尔电动势和电子运动速度方向与磁场的夹角 有关，知道 a 霍尔电压便可以求得角位移。 第二节 霍尔元件的特性 常见的一些概念： 1、 霍尔元件：霍尔元件应用霍尔效应的半导体。 2、 霍尔效应：置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方