具有源极与漏极和有源层之间低肖特基障壁的晶体管结构.pdfVIP

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2022-12-13 发布于四川
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具有源极与漏极和有源层之间低肖特基障壁的晶体管结构.pdf

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一种具有源极与漏极和有源层之间低肖特基障壁的晶体管结构，其包括栅极、有源层、将有源层与栅极分隔开的栅极介电层、源极、漏极和将源极和漏极与有源层分隔开的富含氢材料层。富含氢材料层中氢的存在可能会减少源极和有源层之间以及漏极和有源层之间的接触电阻和肖特基障壁，从而提高器件性能。所揭露的晶体管结构可以在后段工艺中形成并且可以与其他后段工艺电路构件结合。因此，所揭露的晶体管结构可以包括可以在低温加工的材料，而能避免损坏先前制造的器件。

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218004862 U (45)授权公告日 2022.12.09 (21)申请号 202221741425.4 H01L 29/78 (2006.01)