电子技术教案.pdfVIP

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
1.1 半导体基础知识 1. 本征半导体及其特点 纯净的半导体称为本征半导体。在热“激发”条件下,本征半导体中的电子和空穴是成对产生的;当 电子和空穴相遇“复合”时,也成对消失;电子和空穴都是载流子;温度越高,“电子—空穴”对越多; 在室温下,“电子—空穴”对少,故电阻率大。 2. 掺杂半导体及其特点 ( 1 ) N 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量五价元素形成 N 型半导体, N 型半导体中电子为多子, 空穴为少子;电子的数目(掺杂 + 热激发) = 空穴的数目(热激发) + 正粒子数;半导体对外仍呈电中 性。 ( 2 ) P 型半导体:在本征硅或锗中掺入适量

文档评论(0)

185****0813 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档