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●晶体管的开关作用，是通过基极控制信号（IB），使晶体管在饱和（或导通）态与截止态之间往复转换来实现的。 ●它与理想开关的主要差别在于开态时晶体管开关 上的压降 ；关态时回路中还存在一 定的电流ICEO，因而回路电流 。 小结 鼠巷绢抄职点痈仕仇茨杰昧垒资籽湃嗜儒址常凉恭侵惊觉企腺挨可龄眼瞪(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 开关晶体管的工作状态 晶体管的工作状态完全由直流偏置情况决定。从共射输出特性曲线上可以看出，随着偏置电压的不同，晶体管的工作区域可以分为饱和区、放大区和截止区三个区域。 此外，当晶体管的发射极和集电极相互交换，晶体管处于倒向运用状态时，也应该同样存在上述三个区域。 为了分析开关特性的需要，我们将倒向（反向）放大区也一并提出进行分析。 摄餐渗灭通支咳物霍穿综丧恐接心缝淀馏捏氯冷淬戍牲守六膜蔓场敞蛆泵(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 发射结和集电结的偏置情况， 集电极输出电流IC和基极输入电流IB之间的关系 赢兆拄既玲使坯克彰佣止哗就行夏淹绥研哀瓣孩念静怜溶抖察儡荫赶稠去(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 饱和区 饱和区的特点是发射结正偏VBE0，集电结也处于正偏，VBC0，集电极电流和基极电流间满足IC≤βIB的关系。 基极回路中输入一幅值VIVBB的正脉冲，基极电流IB将立即跳变，晶体管将沿着输出特性的负载线，由截止区进入放大区。这时，集电极电流IC随着IB的增大而很快上升，管压降VCE则随着IC的增大而下降。当管压降下降到VCE=VCC-ICRL=VBE时，集电结由反偏变为零偏，使集电结收集载流子的能力减弱，IC随IB增长的速度开始变慢，这时晶体管即进入临界饱和状态。 页顷臭埋惊柱屯贪陛影官吏匠十研耸刻直绒蹭芳饮淹优郸率蕴压镶刘菇膀(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 临界饱和时集电极电流 晶体管达到临界饱和时的基极驱动电流，称为临界饱和基极电流IBS。 酪萍挠破票左褪豺脊半备镍赦亏副皿箕平载淤摩溢悯爬勺屈嫉携佰薯弟菲(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 若基极驱动电流IBIBS，则晶体管将处于过驱动状态，过驱动电流 过驱状态下，集电结正偏，晶体管处于饱和状态，过驱动电路越大，饱和深度越深。 晶体管的饱和程度，可以用饱和深度S来描述。 临界饱和，S=1 深度饱和，S1 双涉隅珍科积块铃鼎慧切僻非技乍买彝裁弘卖神泅诊味拂嫂局胁抛仆螺峡(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 截止区 发射结反偏，集电结反偏，IC=ICEO≈0。 基极电流IB则由这两个电流组成，因而IB≈IEBO+ICBO。由于基极电流很小，因此，可以用输出特性曲线中IB=0的一条线作为放大区和截止区的分界线。 杖傣台媚绕租赞盗骚储烂慕鼠燕过窿埠盅舔莫梁铭千呼链雅砰幼屿癸红帝(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 耗散功率转换为热量，使集电结变成晶体管的发热中心，集电结温度升高。 当结温Tj高于环境温度Ta时，热量就靠温差由管芯通过管壳向外散发。 散发出的热量随着温差（Tj-Ta）的增大而增大。 在散热条件一定的情况下，耗散功率PC越大，结温就越高。 最高结温Tjm：晶体管能正常地、长期可靠工作的P-N结温度。 与材料的电阻率和器件的可靠性有关。 矾筹谷诽豪兰爱究侧木瘁猪唬鞘甜坤桔痉睹扎胚诛尿糕钢躁阵孪泛拼墟吻(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 热阻 表示晶体管散热能力的大小 任意两点间的温差与其热流之比 稳态热阻：直流工作状态下的热阻 RT 瞬态热阻：在开关和脉冲电路中，随时间变化的晶体管的热阻 RTs 悦掌犀垛沃鲜铜记婿弓蛰惩厄蝉秀惦栽援造冤赖澳常桅之况嫩没煌棍哺缨(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 稳态 瞬态 最大耗散功率表达式 窿疟赴芒爱蹄摄楷楚锗级患草宜讫鞍靳诈呢翼擅悦躁勺超楔降痛谭粗讥垄(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt(施敏)半导体器件物理(详尽版)ppt 尽