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《超大规模集成电路设计基础》读书报告
随着深亚微米工艺的日益发展，不断提高的集成度和性能要求使电路的功耗越来越大，静态功耗在电路总功耗中所占的比例迅速增加。而为了使CMOS器件电路的密度进一步提高、优化其电路性能，同时减少能量消耗，我们又不得不减小器件的尺寸、供电电压和晶体管的开启电压。据估计，工艺技术每改进一代，泄漏电流引起的静态功耗将增加约50％。所以，上述的种种优化措施，同时导致了大量的泄漏电流。这些泄漏电流甚至能够严重地影响整个电路的能量损耗。在信息化技术高度发达的今天，CMOS集成电路广泛应用于人类的各个领域，近年来政府组织又提出了“节能减排”的口号，所以，我就选取了泄漏电流这个方向
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