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实验测量半导体类型方法 实验测量半导体类型方法 1. 霍尔效应 冷热探针法 冷热探针法是利用半导体的温差电效应来测定半导体的导电类型的。在 P 型半导体未加探针之前，空穴均匀分布， 半导体中处处都显示出电中性。当半导体两端加上冷热探针后，热端激发的载流子浓度高于冷端的载流子浓 度，从而形成了一定的浓度梯度。于是，在浓度梯度的驱使下，热端的空穴就 向冷端做扩散运动。随着空穴不断地扩散，在冷端就有空穴的积累，因而带上了正电荷，同时在热端因为空穴的欠缺(即电离受主的出现)而带上了负电荷。上述正负电荷的出现便在半导体内部形成了由冷端指向热端的电场。于是，冷端的电势便高于热端的电势，冷热两端就形成了一定