2023年MOSFET(MOS管)行业现状分析与前景研究报告.pdf

汇 报 人 ： 行业背景研究 行业现状分析 行业痛点及发展建议 行业格局及前景趋势 0 MOSFET(MOS管)行业定义 MOSFET，又称MOS、MOS管，全称为MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor，金属- 氧化物半导体场效应晶体管，即以金属层 （M）的栅极隔着氧化层 （O）利用电场的效应来控 制半导体 （S）的场效应晶体管。根据工作载流子的极性不同，功率MOSFET可进一步分为N沟 道型 （NMOS）与P沟道型 （PMOS），两者极性不同但工作原理类似，在实际电路中采用导通电 阻小、制造较容易的N沟道型MOSFET。MOSFET具有三个电极，分为源极 （Source）、漏极 （Drain）以及栅极 （Gate），通过控制栅极所加电压可控制源极与漏极之间的导通与关闭。 以N沟道MOSFET为例，当G、S极之间的电压为零时，D、S之间不导通，相当于开路，而当G、S 极之间的电压为正且超过一定界限时，D、S极之间则可通过电流，因此功率MOSFET在电路中 起到的作用近似于开关。 萌芽期 （1959-1969年） 成长期 （1970-1980年） 1959年，全球首款功能性MOSFET问世，这款产品使用了硅低衬、二氧化硅栅极电介质和 20世纪60年代后期，MOSFET开始采用多晶硅栅极电极。70年代初，多晶硅栅极在高温掺 AI栅极电极。此后，通过引入杂质吸附的方法以及提高对环境清洁度的控制，MOSFET栅 杂扩散时形成源-漏极区域的标志，从而让源极/漏极和栅极电极自行对齐，使MOSFET尺 极不稳定的问题得到了解决。这一时期，功率器件领域内成功建立起MOSFET的漏极电流 寸不断缩小成为了可能。在此背景下，MOSFET开始被用于LSI电路的制造，如内存和微 Id和漏极电压Vd以及栅极电压之间的关系模型，但由于MOSFET驱动电流低于双极结晶体 处理器，但高性能大型计算机主要还是使用双极结晶体管。 管，且阈值电压不稳定，尚未成为主流双极技术的竞争者。 Q1 Q2 Q3 Q4 快速发展期 （1981-2013年） 高速发展期 （2014年至今） 随着技术的进步，MOSFET的特征尺寸不断减小。为解决短通道效应，业界提出了轻掺杂漏极结构。自 关于栅极氧化物的厚度，当时业界普遍认为3nm是极限，低于该数值时则出现隧穿现象。2016年，IBM 6μm代MOSFET以来，电源电压二十多年保持在5V，最终在0.5μm代技术产生时，电源电压下降至 利用强度更大的背光注入技术成功地制造出了厚度4nm、栅长6nm的MOSFET，是目前世界上能够实际运 行的 “最小”的MOSFET。为实现器件进一步的缩小与集成，MOSFET在纳米级别还在现基础上进一步向 更小尺寸发展。为突破物理极限，当前国际各科研团队在新材料特殊属性基础上研发，试图制造出更