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GaN HEMT低功耗模块.pdfVIP

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  • 2023-01-08 发布于北京
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GaN HEMT低功耗模块.pdf

    GaNHEMT低功耗模块。涉及半导体器件。包括：框架本体；e‑GaNHEMT，所述e‑GaNHEMT固定设置在框架上，其漏极连接在框架本体上，其两源极分别与相应的引脚连接；GaNSBD，所述GaNSBD固定设置在框架上，其阳极端连接到框架本体上，阴极端连接到e‑GaNHEMT的源极实现与e‑GaNHEMT并联；监控器一，所述监控器一固定设置在框架上，其两监控端分别连接GaNSBD的两端，监测GaNSBD和e‑GaNHEMT并联回路的电压；电容，所述电容固定设置在框架上，将所述

    (19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218241845 U (45)授权公告日 2023.01.06 (21)申请号 202222574542.2 (22)申请日 2022.09.28 (73)专利权人 扬州扬杰电子科技股份有限公司 地址

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