半导体封装流程完整.ppt

FOL– Epoxy Cure环氧树脂固化 环氧树脂固化： -175°C，1个小时；N2环境，防止氧化： Die Attach质量检查： Die Shear（芯片剪切力） 第二十七页，共四十六页。 FOL– Wire Bonding 引线焊接 利用高纯度的金线（Au） 、铜线（Cu）或铝线（Al）把 Pad 和引线通过焊接的方法连接起来。Pad是芯片上电路的外接点，引线是引线框架上的 连接点。 引线焊接是封装工艺中最为关键的一部工艺。 第二十八页，共四十六页。 FOL– Wire Bonding 引线焊接 Key Words： Capillary：陶瓷劈刀。W/B工艺中最核心的一个Bonding Tool，内部为空心，中间穿上金线，并分别在芯片的Pad和引线框架的引线上形成第一和第二焊点； EFO：打火杆。用于在形成第一焊点时的烧球。打火杆打火形成高温，将外露于Capillary前端的金线高温熔化成球形，以便在Pad上形成第一焊点（Bond Ball）； Bond Ball：第一焊点。指金线在Cap的作用下，在Pad上形成的焊接点，一般为一个球形； Wedge：第二焊点。指金线在Cap的作用下，在Lead Frame上形成的焊接点，一般为月牙形（或者鱼尾形）； W/B四要素：压力（Force）、超声（USG Power）、时间（Time）、温度（Temperature）； 第二十九页，共四十六页。 FOL– Wire Bonding 引线焊接 EFO打火杆在磁嘴前烧球 Cap下降到芯片的Pad上，加Force和Power形成第一焊点 Cap牵引金线上升 Cap运动轨迹形成良好的Wire Loop Cap下降到Lead Frame形成焊接 Cap侧向划开，将金线切断，形成鱼尾 Cap上提，完成一次动作 第三十页，共四十六页。 FOL– Wire Bonding 引线焊接 Wire Bond的质量控制： Wire Pull、Stitch Pull（金线颈部和尾部拉力） Ball Shear（金球推力） Wire Loop（金线弧高） Ball Thickness（金球厚度） Crater Test（弹坑测试） Intermetallic（金属间化合物测试） Size Thickness 第三十一页，共四十六页。 FOL– 3rd Optical Inspection三光检查 检查Die Attach和Wire Bond之后有无各种废品 第三十二页，共四十六页。 EOL– End of Line后段工艺 Molding 注塑 EOL Laser Mark 激光打字 PMC 高温固化 De-flash/ Plating 去溢料/电镀 Trim/Form 切筋/成型 4th Optical 第四道光检 Annealing 电镀退火 第三十三页，共四十六页。 Logo Company Logo Logo Logo Logo Logo Introduction of IC Assembly ProcessIC封装工艺简介 第一页，共四十六页。 Introduction of IC Assembly Process 一、概念 半导体芯片封装是指利用膜技术及细微加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布局、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。此概念为狭义的封装定义。更广义的封装是指封装工程，将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。将前面的两个定义结合起来构成广义的封装概念。 第二页，共四十六页。 半导体封装的目的及作用 第一，保护：半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产条件控制，恒定的温度（230±3℃）、恒定的湿度（50±10%）、严格的空气尘埃颗粒度控制（一般介于1K到10K）及严格的静电保护措施，裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下才不会失效。但是，我们所生活的周围环境完全不可能具备这种条件，低温可能会有-40℃、高温可能会有60℃、湿度可能达到100%，如果是汽车产品，其工作温度可能高达120℃以上，为了要保护芯片，所以我们需要封装。 第二，支撑：支撑有两个作用，一是支撑芯片，将芯片固定好便于电路的连接，二是封装完成以后，形成一定的外形以支撑整个器件、使得整个器件不易损坏。 第三页，共四十六页。 半导体封装的目的及作用 第三，连接：连接的作用是将芯片的电极和外界的电路连通。引脚用于和外界电路连通，金线则将引脚和芯片的电路连接起来。载片台用于承载芯片，环氧树脂粘合剂用于将芯片粘贴在载片台上，引脚用于支撑整个器件，而塑封体则起到固定及保护作用。