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通信用光器件要点会计学第1页/共75页4.1 光器件简介在光纤通信系统中，光器件可分为有源光器件和无源光器件两类，其中有源光器件包括前章介绍的光源器件，还有本章要介绍的光电检测器等器件。光电检测器，是将入射光转化为电流或电压，是以光子一电子的量子转换形式完成光的检测目的，如光电二极管（PIN）和雪崩光电二极管（APD）。由于光纤具有三个低损耗窗口，即850nm、1310nm和1550nm。相应的，用于850nm 波长的称为短波长光电检测器，用于1310nm和1550nm波长的则称为长波长光电检测器。 返回下一页第2页/共75页4.2 光电检测器1. 光电检测器作用及要求（1）作用在光纤通信系统中，光电检测器的作用是；将光纤输出的光信号变换为电信号，其性能的好坏将对光接收机的灵敏度产生重要影响。（2）对光电检测器的基本要求由于从光纤中传过来的光信号一般是非常微弱的，因此对光电检测器提出非常高的要求。对光检测器的基本要求如下：在系统的工作波长上具有足够高的响应度，具有足够快的响应速度，能够适用于高速或宽带系统；具有尽可能低的噪声，以降低器件本身对信号的影响；具有良好的线性关系，以保证信号转换过程中的不失真；具有较小的体积、较长的工作寿命；工作电压尽量低，使用简便。 返回下一页第3页/共75页4.2 光电检测器2. 半导体PN结的光电效应如图4-1所示，是一个未加电压的半导体PN结。在半导体材料的PN结区，发生载流子相互扩散的运动，即P型半导体中的空穴远比N型半导体的多，空穴将从P区扩散到N区；同样N型半导体中的电子远比P型半导体的多，也要扩散到P区。这种扩散运动的结果是在PN结内形成了一个内电场，在内电场的作用下，使电子和空穴产生了与扩散运动方向相反的漂移运动。当扩散与漂移达到动态平衡时，便在PN结中形成了一个空间电荷区，即耗尽层。返回上一页下一页第4页/共75页图4-1 光电效应 图4-1 光电效应返回第5页/共75页4.2 光电检测器如果PN结接收到相当能量的光照射，进入耗尽层的光子就会产生电子--空穴对，在内电场的加速下，空穴向P区漂移，电子则向N区漂移。很显然，光照的结果打破了原有结区的平衡状态。这种光生载流子的运动，在一定条件下，就会产生光电流。这就是半导体PN的光电效应。当入射光子能量小于禁带宽度时，不论入射光有多强，光电效应也不会发生，因此产生光电效应的条件是 （4-1）返回上一页下一页第6页/共75页4.2 光电检测器3. 光电二极管（PIN）（1）PIN的结构及其原理PIN的结构。PIN的结构如图4-2所示，是在掺杂浓度很高的P型、N型半导体之间，加一层轻掺杂的N型材料，称为I层（本征层）。I层很厚，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子--空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率。两侧的P和N型半导体很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层，因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。另外，可通过控制耗尽层的宽度，来改变器件的响应速度。返回上一页下一页第7页/共75页图4-2 PIN结构 图4-2 PIN结构返回第8页/共75页图4-2 PIN结构第9页/共75页4.2 光电检测器PIN的工作原理。当PN结加上反向电压后（如图4-3所示），入射光主要在耗尽区被吸收，在耗尽区产生光生载流子(电子--空穴对)。在耗尽区电场作用下，电子向N区漂移，空穴向P区漂移，产生光生电动势。在远离PN结的地方，因没有电场的作用，电子空穴作扩散运动，产生扩散电流。因I层宽，又加了反偏压，空间电荷区（耗尽层）加宽，绝大多数光生载流子在耗尽层内进行高效、高速漂移，产生漂移电流。这个漂移电流远远大干扩散电流，所以PIN光电二极管的灵敏度高。在回路的负载上出现电流，就将光信号转变为了电信号。返回上一页下一页第10页/共75页图4-3 PIN的工作原理第11页/共75页4.2 光电检测器PIN存在的问题仅能将光信号转化成电信号，但不能对电信号产生增益；转换后的电流信号，很微弱，这种微弱信号，经放大器放大后，淹没在放大器自身产生的噪声中，以致难以辨认。4. 雪崩光电二极管(APD)（1）APD的结构对于光电二极管（PIN），其输出电流I和反向偏压U的关系，如图4-4所示。随着反向偏压的增加，光电流基本保持不变。但当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压。APD就是根据这种特性设计的器件，其结构如图4-5所示。返回上一页下一页第12页/共75页图4-4 输出电流I和反向偏压U的关系 图4-4 输出电流I和反向偏压U的关系返回第13页/共75页拉通型（RAPD）结构第14页/共75页4.2 光电