场效应管放大电路new-P沟道.pptxVIP

N沟道耗尽型P沟道N沟道增强型耗尽型P沟道增强型§5.1 场效应晶体管场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。场效应管有两种:结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS第一页，共五十页。栅极（G）N沟道D漏极DDNN源极（S）GGSSP区P沟道5.1.1 结型场效应管:一、结构及符号扩散情况：NPNN第二页，共五十页。IDDUDSPGNNNNUGSS5.1.1 结型场效应管:UDS=0V时二、工作原理（以P沟道为例，N沟道见书）PN结反偏，UGS越大则耗尽区越宽，导电沟道越窄。第三页，共五十页。DUDSPGNNNNUGSS但当UGS较小时，耗尽区宽度有限，存在导电沟道。DS间相当于线性电阻。何种载流子导电？5.1.1 结型场效应管:UDS=0V时二、工作原理（以P沟道为例）IDUGS越大耗尽区越宽，沟道越窄，电阻越大。第四页，共五十页。NN5.1.1 结型场效应管:UDS=0时二、工作原理（以P沟道为例）UGS达到一定值时（夹断电压VP）,耗尽区碰到一起，DS间被夹断，这时，即使UDS ? 0V，漏极电流ID=0A。IDDUDSPGUGSS第五页，共五十页。DUDSPGNNUGSS5.1.1 结型场效应管:UGSVp且UDS0、UGDVP时耗尽区的形状二、工作原理（以P沟道为例）ID越靠近漏端，PN结反压越大第六页，共五十页。DUDSPGNNUGSS5.1.1 结型场效应管:UGSVp且UDS较大时UGDVP时耗尽区的形状二、工作原理（以P沟道为例）沟道中仍是电阻特性，但是是非线性电阻。ID第七页，共五十页。DUDSGNNUGSS5.1.1 结型场效应管:UGSVp UGD=VP时二、工作原理（以P沟道为例）漏端的沟道被夹断，称为予夹断。IDUDS增大则被夹断区向下延伸。第八页，共五十页。DUDSGNNUGSS5.1.1 结型场效应管:UGSVp UGD=VP时二、工作原理（以P沟道为例）ID此时，电流ID由未被夹断区域中的载流子形成，基本不随UDS的增加而增加，呈恒流特性。第九页，共五十页。IDDUDSPGNNUGSS5.1.1 结型场效应管:二、工作原理（以P沟道为例）结论：（1）因为栅源间加反向电压，故栅极几乎不取电流；（2）输出电流ID受UGS控制，故场效应管是一种电压控制器件；（3）由于受ED的影响，耗尽层呈上宽下窄的形式，故总是沟道的上部先被夹断；第十页，共五十页。ID0UGSmAVPvUDSvUGSIDSS5.1.1 结型场效应管:三、特性曲线夹断电压饱和漏极电流（1）转移特性 ID=f(UGS)|UDS饱和漏电流IDSS：UGS =0时的漏极电流。夹断电压VP：ID接近于0时的栅源电压。 ①饱和区中的各条转移特性几乎重合，通常我们就用一条曲线来表示。 ②转移特性的经验公式：第十一页，共五十页。夹断区5V4V3V2V可变电阻区1VUGS=0V予夹断曲线5.1.1 结型场效应管:（2）输出特性曲线ID=f(UDC)|UGS三、特性曲线ID0U DS恒流区第十二页，共五十页。IDmAIDSSvVDSvVGSVPUGS05.1.1 结型场效应管:四、N沟道结型场效应管的特性曲线转移特性曲线第十三页，共五十页。IDUGS=0V-1V-3V-4V-5V0U DS5.1.1 结型场效应管:四、N沟道结型场效应管的特性曲线输出特性曲线第十四页，共五十页。5.1.1 结型场效应管: 五、结型场效应管的缺点：1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。第十五页，共五十页。GSDDNNGPS5.1.2 绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号金属铝两个N区SiO2绝缘层P型基底导电沟道N沟道增强型第十六页，共五十页。GSDDNNGPS5.1.2 绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号N 沟道耗尽型预埋了导电沟道 第十七页，共五十页。GSDDPPGNS5.1.2 绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号P 沟道增强型第十八页，共五十页。GSDDPPGNS5.1.2 绝缘栅场效应管:一、结构和电路符号预埋了导电沟道 P 沟道耗尽型第十九页，共五十页。UDSUGSID=0SDGNND-S 间相当于两个反接的PN结P5.1.2 绝缘栅场效应管:二、MOS管的工作原理以N 沟道增强型为例UGS=0时对应截止区第二十页，共五十页。UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里出现以电子导电为主的N型导电沟道。UDSUGSSDGNNP5.1.2 绝缘栅场效应管:二、MOS管的工作原理UGS0时感应出电子VT称为开启（阈值）电压第二十一页，共