在研项目的联系和区别 增加（红字）-20180303.docVIP

报告正文 参照以下提纲撰写，要求内容翔实、清晰，层次分明，标题突出。请勿删除或改动下述提纲标题及括号中的文字。 （一）立项依据 1．研制设备的重要性和必要性 论述研制的仪器设备拟解决的重要科学和技术问题，同类仪器设备的国内外研究现状和发展趋势。 （1）厘米级DAST单晶的重要性 DAST晶体[4-（4-二甲基氨基苯乙烯基）甲基吡啶对甲苯磺酸盐]是一种性能优异的新型有机非线性光学晶体，具有较大的非线性系数、电光系数及较低的介电常数（与LiNbO3和LiTaO3晶体相比），适用于超快光脉冲的探测、高速电光调制器和光波导等高新技术领域，是太赫兹（THz）辐射与探测的理想候选。THz波段具有光子能量低、频率高、空间分辨率好等优点，可广泛应用于光谱学成像、无损探测、安检（生化物的检查）、质量控制、高精度保密雷达、卫星间宽带通讯等领域，而目前缺乏高效稳定的THz辐射源成为制约THz发展的瓶颈。基于DAST晶体的THz辐射源，其频谱宽度可覆盖整个THz波段，且THz脉冲短，时间分辨率高，是目前产生THz波效率最高的有机非线性光学晶体。然而，THz波的广泛应用仍然受到有机DAST晶体尺寸的限制，基于光学方法产生THz波，不但受到光学装置参数，还受到晶体质量、有效作用长度、相位匹配及辐射面积的影响，其晶体面积直接影响THz辐射面积，进而影响泵浦脉冲-THz脉冲的转换效率；随着集成器件的不断发展，对于具有完全相同性能DAST晶体的需求更加迫切，这就对大尺寸、高质量晶体的生长提出了新的更高要求。 DAST晶体结构首次在1989年由S.R.Marder等人报道，之后日本、瑞士、印度、中国等国的研究学者通过对DAST单晶的生长技术与生长方法进行了持续探索和改进，已有晶体生长技术总结如表1所示。对比表中不同晶体生长方法可以发现，利用自发成核法生长晶体，不易获得大尺寸晶体；利用双温区法可生长出大尺寸晶体，但由于生长速率较高，晶体质量较差；利用底部籽晶法可生长出高质量大尺寸晶体,但是利用此方法对装置的技术要求极高，特别是如何在密闭条件下从底部放置籽晶是一个关键性问题。 表1 国内外DAST晶体研究进展 国家 研究者 方法 尺寸（mm3） 日本 Yabuzaki等人 自发成核法 5.1 × 3.9 × 1.0 日本 J. Yabuzaki等人 斜板法 5.0 × 4.0 × 0.5 日本 Sohma S等人 顶部籽晶法 12 × 11× 2 瑞士 Ruiz B等人 底部籽晶法 28 × 28 × 8 中国（台湾） Haja Hameed等人 双温区法 32 × 30 × 8 中国 申请者 顶部籽晶法 25 × 22 × 2 目前，瑞士联邦理工学院研究组在2008年利用底部籽晶法生长出尺寸为28 × 28 × 8 mm3的DAST单晶，代表国际最高水平，但重复性较差。目前国内对DAST晶体研究相对较少，虽已可生长出尺寸为25 ×22 ×2 mm3的DAST单晶，但生长工艺并不稳定。 （2）厘米级DAST单晶带来的生长技术问题 厘米级DAST单晶的生长并不是简单的宏观尺寸的扩大，除了常见的技术问题如籽晶质量、晶体外形控制以外，单晶微观缺陷成为生长厘米级单晶的关键问题，直接影响该晶体的实际应用。同时随着晶体生长周期的增加，其楔化几率也大大增加，这是厘米级DAST单晶面临的又一关键技术。 单晶微观缺陷的形成除了籽晶遗传导致以外，与晶体生长溶液的稳定性密切相关。晶体生长溶液的稳定性不仅与溶液本身（溶液的纯度）有关，也与外界条件密切相连。例如用于生长DAST晶体的甲醇溶剂容易挥发，会改变溶液的过饱和度，进而破坏溶液的稳定性；另外，通过固定的加热装置对溶液进行加热，使得溶液受热不均匀，出现局部过热或过冷，溶液易出现自发成核，破坏生长溶液的稳定；缺乏高精度温控表，不能精确地反应溶液温度，与温控表相连的热电偶只能采集到热电偶周围的温度，不能实现温度场的全方位检测，这些都不利于溶液的稳定性。而且，溶液的过饱和度、生长温度梯度很容易使晶体出现楔化现象（晶体的某些方向不断变小，晶面弯曲），影响晶体的使用价值。因此通过优化温场分布，控制溶液的过饱和度，可以采集厘米级DAST单晶的生长数据，掌握生长规律，形成一套稳定的厘米级DAST单晶生长工艺。 如何实时监测晶体生长状态以及实时记录晶体的生长参数，是稳定生长厘米级DAST单晶、掌握单晶生长基本规律的又一技术问题。DAST单晶生长周期较长，晶体形貌与尺寸变化缓慢，难以用肉眼直接观测生长过程中晶体发生的细微变化，不利于人为对晶体生长参数的控制，难以形成系统的厘米级DAST单晶生长工艺。 另外，DAST单晶易潮解，生长过程中易与H2O结合形成具有中心对称结构的DAST·H2O单晶，该晶体不具有二阶非线性光学性能，不能应用于THz波的产生和检