半导体物理学-第四章.pdfVIP

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问题十 • 一般情况下电中性条件 • 低温弱电离区 • 强电离区 (饱和区) • 本征激发区 • 简并半导体 大数据与信息工程学院电子科学系 第四章 半导体的导电性 • 载流子的漂移运动 迁移率 • 载流子的散射 • 迁移率与杂质浓度和温度的关系 • 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 • 玻尔兹曼方程 电导率的统计理论 • 强场下的效应 热载流子 • 多能谷散射 耿氏效应 大数据与信息工程学院电子科学系 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 • 欧姆定律 • 漂移速度和迁移率 • 半导体的电导率和迁移率 大数据与信息工程学院电子科学系 1. 欧姆定律 • 金属导体两端加上电压,导体内就形成电流,电流强度与 电压成正比 (欧姆定律): l V I (A) S R l R  () 电阻 s (m or cm) 电阻率 1  (S/ m or S/ cm) 电导率  • 欧姆定律不能说明导体内部电流的分布,因此引入电流 密度矢量。 大数据与信息工程学院电子科学系 • 电流密度矢量:大小等于通过垂直于电流方向单位面 积的电流,方向为正电荷流动的方向,即:  I 2 2 J (A/ m or A/ cm ) s • 导体内电场  V E (V/ mor V/ cm) l • 对均匀导体  I V/(l/ s) V  J  E  s s V/ E 大数据与信息工程学院电子科学系 2. 漂移速度和迁移率 • 电子在电场力作用下逆电场方向运动~漂移运动。定向运  动的速度称漂移速度 。 v d  v 1 • 距A面为 作一O面, d 则OA截面间的电子,在 1s 内能通过A面。即单位 时间内通过A面的电量为:  I nq v 1A d    J nqv A/ A nqv d d

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