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泓域咨询/晶体硅生长设备设计投资项目立项报告
报告说明
晶体硅生长设备的研制涉及热力学、流体力学、半导体材料、电气、机械、计算机以及控制理论等多学科,是一项系统性工程,主要包括机械部件、电气硬件、控制软件、热场结构和晶体生长工艺的设计开发。尤其是在密闭、低压、高温的炉体内实现晶体硅生长所需苛刻环境参数的自动控制,需要对晶体硅生长条件及工艺技术有充分的理解,并拥有丰富的行业应用经验和工艺设计能力。因此,本行业存在较高的技术壁垒。
根据谨慎财务估算,项目总投资3835.77万元,其中:建设投资2538.13万元,占项目总投资的66.17%;建设期利息70.35万元,占项目总投资的1.83%;流动资
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