模拟集成电路设计 课件 第3章 单级放大器.pptx

第3章 单级放大器 第3章 单级放大器3.1基本电流镜3.2共源极放大器3.3共漏极放大器（源跟随器）3.4共栅极放大器3.5共源共栅电流镜3.6共源共栅放大器3.7放大器的频率特性 单级放大器的特性直流或低频增益（DC Gain）频率特性（单位增益带宽）动态响应速度（Slew rate，Settling time）功耗、电源电压（低功耗、低电压供电）输入电压范围输出电压摆幅（无失真放大范围）输入/输出电阻信噪比（S/N） 以上特性大部分互相制约，要根据实际应用场合进行折衷选择或优化设计。电路结构及工作原理，直流偏置大信号特性分析，输入电压范围，输出电压摆幅小信号特性分析，电压放大倍数，输入/输出电阻频率特性分析，带宽，相位裕度，动态特性其它特性分析，优缺点分析 单级放大器的分析流程 3.1 基本电流镜（Current mirror）Vds1=Vgs1Vgs1=Vgs2（饱和区，理想情况）如果M1与M2均工作在饱和区，Iout与IREF的比值由M1与M2的尺寸比率决定，不受工艺误差、电源电压和温度（PVT）变化的影响（理想情况）M1始终工作在饱和区（由于Vds1=Vgs1， 所以Vds1Vgs1-Vth， 或者，由于Vgd=0，VgdVth），同时Vds1(Vds1 =Vgs1 =Vgs2)为M1和M2提供直流偏置电压。 基本电流镜的误差（沟道长度调制引起） 由于一般情况下Vds2≠Vds1，输出电流出现偏差。且λ愈大，电流误差愈大。因此为了提高电流源的精度，通常使用L尺寸较大的管子形成电流镜（λ∝1/L）。为了进一步减小沟道长度调制的影响，可采用后面介绍的共源共栅电流镜。 基本电流镜的误差（其它原因引起）M1与M2的Vth不同（例如栅氧化层的厚度不同、有源区扩散浓度不同）M1与M2的尺寸误差（制造工艺引起的几何尺寸失配）提高电流源精度的其它措施:在电流镜的版图设计中，M1与M2的结构应尽可能保持对称且紧靠在一起配置，以保证较小的Vth偏差。 尽可能将管子的W和L取大一些，以减小尺寸失配误差的影响。 在CMOS制造过程中存在源/漏区的横向扩散现象，即Leff =Ldrawn-2LD，由于源/漏区的横向扩散长度LD是与工艺相关的某一常数，与栅长设计值Ldrawn无关，因此，如果将Ldrawn加倍，但Leff并不能相应加倍。为了消除这种误差，电流镜中的所有CMOS管通常都采用相同的栅长L，而输出电流的调节只能通过调节管子的栅宽W来实现。 多路输出电流镜 多路输出电流镜（输出电流导向）Sink currentSource current 基本电流镜的输出电阻（小信号特性）小信号交流等效电路 基本电流镜在放大器中的应用 (具有很大的小信号电阻rout)： 1）提供恒定的直流偏置电流； 2）作为放大器的有源负载使用，具有很大的小信号电阻。基本电流镜的小信号等效电路（NMOS）vgs2=0 3.2 共源极放大器无源电阻负载无源电阻负载NMOS源极端交流接地（输入、输出信号的公共端） 共源极放大器的输入-输出特性（大信号特性）截止区（VinVTH）Vout饱和区（VTHVinVout+VTH ）Q线性区（VinVout+VTH）Vin 静态偏置电压Vin0不同，放大管工作在不同的区域，作为放大器应保证工作在饱和区。 小信号电压放大原理（在饱和区，电阻负载）电压放大的原理：输入电压Vin小的变化引起输出电压Vout大的变化。共源极放大器的交流小信号特性（饱和区） 无源电阻负载放大器的优缺点无源电阻负载（直流电阻与交流电阻相同）的缺点：电压放大倍数Av= -gm(RD//rds) 为了增大Av → 增大RD → 限制输出电压的摆幅（放大管进入线性区）CMOS工艺条件下制作大电阻（数百KΩ）会占用较大芯片面积；增加静态（直流）功耗（Ids2 ×RD）无源电阻负载的优点（与有源电阻负载相比）： 寄生电容和噪声电压较小，适应于低增益高频放大器（例如RF电路中）。 共源极放大器（电流镜作为有源负载）NMOS放大管PMOS放大管Active loadActive load的作用: 提供恒定的直流偏置电流和很大的小信号等效电阻rds2，并且消耗较小的电压余度（直流电阻小，交流电阻大）。 共源极放大器的大信号特性NMOS放大管1）当VinVth1时，M1截止，其漏极电流为零，M2处于深度线性区，其漏-源电压Vds2接近于零，此时Vout≈VDD 2）当VinVth1时，M1和M2都进入饱和区，漏极电流基本保持恒定（电流镜的作用），随着Vin增加Vout逐渐减小 （反相）3）当Vin Vout +Vth1 （或Vout Vin -Vth1）时，M1进入线性区（跨导gm1减小） 输出电压Vout的下限是M1的过驱动电压（ Vin -Vth1