信号完整性分析课件IC发展简史.pptx

IC发展简史;1940s - 起步阶段 - 原创性的发明使得集成电路技术成为可能;1945 - 三极管（Transistor）发明 ;1950s 集成电路雏形 - 集成电路出现 ;1952 - 集成电路（Integrated Circuit - IC）的概念提出1952 年5月7日，英国的雷达科学家 Geoffrey W.A. Dummer在华盛顿特区提出了集成电路的概念，即文章"Solid block [with] layers of insulating materials". 1956年的尝试以失败结束，但是作为提出IC概念的先驱，Dummer是IC史册不可缺的一页。 ;1954 - 第一个商业化的晶体管1954 年5月10日，德州仪器（TI）发布了第一款商用的晶体管 -Grown-Junction Silicon Transistors。晶体管通过在硅晶体表面切割一个矩形区域获得，硅晶体通过含杂质的熔化炉生长得到。硅晶体管和锗晶体管相比，具有廉价和高温特性 好的优点。;1954 - 氧化、掩膜工艺（Oxide masking）Bell实验室开发出氧化（oxidation）、光掩膜（photomasking）、刻蚀（etching）和扩散(diffusion）工艺，这些工艺在今天的IC制造中仍在使用。 1954 - 第一个晶体管收音机问世工 业开发工程师协会（Industrial Development Engineer Associates）设计并生产了世界第一个晶体管收音机 - Regency TR-1，它使用4个德州仪器（Texas Instruments）制造的锗（Germanium）晶体管。 1955 - 第一个场效应晶体管问世又是Bell实验室的杰作。 ;1958 - 集成电路被发明1958 年7月24日，德州仪器（Texas Instruments）的雇员Jack Kilby，在笔记本中写道：如果电路元件，比如电阻，电容可以使用同种材料制造，则有可能将整个电路加工在单个片子上“single chip“。当时的真空条件很差的情况下，Kilby于当年的9月12日制造了具有5个集成元件的简单振荡电路，1959年Kilby提交了专利申请 US3,138,743："Miniaturized electronic circuits"并获得授权。2000年Kilby和其他两位物理学家一起分享了诺贝尔物理奖。 ;1959 - 平面技术（Planar technology）问世Kilby的发明存在严重的缺陷：电路的元件依赖于金丝连接，这种连线上的困难阻碍了该技术用于大规模电路的可能。直到1958年后期仙童（Fairchild）公司瑞士出生的物理学家Jean Hoerni开 发出一种在硅上制造PN结的结构，并在结上覆盖了一层薄的硅氧化层作绝缘层，在硅二???管上蚀刻小孔用于连接PN结。Sprague Electric捷克出生的物理学家Kurt Lehovec开发出使用PN结隔离元件的技术，这个问题才得以解决：1959年，也是仙童公司雇员的Robert Noyce产生了组合Hoerni's and Lehovec's工艺并通过在电路上方蒸镀薄金属层连接电路元件来制造集成电路的想法。平面工艺开始了复杂集成电路时代并沿用到今天。 ;1960s - 改进的产品和技术 - MOS, CMOS 和 BiCMOS, Moore's 定律 ;1961 - 第一颗商用的集成电路（IC）问世仙童（Fairchild）和德州仪器（Texas Instruments）共同推出了第一颗商用集成电路。1962 - 发明TTL逻辑（Transistor-Transistor Logic）1962 - 半导体工业销售额超过10亿美金（$1-billion） ;1963 - 第一片MOS集成电路RCA制造出第一片PMOS集成电路 1963 - 发明互补型金属氧化物半导体（CMOS）仙 童公司的Frank Wanlass提出并发表了互补型MOS（complementary-MOS - CMOS）集成电路的概念。 Wanlass最初意识到由PMOS和NMOS晶体管构成的电路仅需要很小的工作电流，开始他试图给出一个单芯片的解决方案，但最终不得不以分立元件来验 证这个想法。当时还没有增强型（Enhancement）的NMOS管，Wanlass不得不使用耗尽型（depletion）的器件，通过将器件偏置到 关断状态来实现电路。CMOS的静态电流要比等效的双极型（Bipolar）和PMOS型的逻辑门低6个数量级，这个结果简直是疯狂的。1963年6月 18日，Wanlass提出专利申请，1967年12月5日获得授权，专利号：US3,