原创力文档- 2
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- 2023-01-30 发布于四川
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本实用新型提供了一种终端结构即及功率半导体器件，包括：衬底；配置在所述衬底第一表面的外延层；设置在所述外延层内的场限环，设置在所述场限环两侧的内部金属层；配置在所述外延层上的电容复合结构层，配置在所述电容复合结构层两侧的外部金属层，覆盖在所述电容复合结构层上的绝缘层，其中，所述外部金属层与内部金属层电连接，所述电容复合结构层的两端分别与外部金属层电连接。解决了在不增加边缘终端区面积的情况下，提高边缘终端区的耐压能力。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212303678 U
(45)授权公告日 2021.01.05
(21)申请号 202022165873.1
(22)申请日 2020.09.28
(73)专利权人 厦
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