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电力电子技术-西南大学2016 年作业 第一批 单选题 题目说明: （10.0 分）1.IGBT 属于（）控制型元件 A ．A ：电流 B．B：电压 C．C：电阻 D．D：频率 （10.0 分）2.触发电路中的触发信号应具有（） A ．A ：足够大的触发功率 B．B：足够小的触发功率 C．C：尽可能缓的前沿 D．D：尽可能窄的宽度 （10.0 分）3. 对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2 时间段内，P 组晶闸管变流装置与N 组 晶闸管变流装置的工作状态是（） 1 / 1 电力电子技术-西南大学2016 年作业 A ．A ：P 组阻断，N 组整流 B．B：P 组阻断，N 组逆变 C．C：N 组阻断，P 组整流 D．D：N 组阻断，P 组逆变 （10.0 分）4. 电流型逆变器中间直流环节贮能元件是() A ．A ：电容 B．B：电感 C．C：蓄电池 D．D：电动机 （10.0 分）5.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角a 的最大移相范围是 （） A ．A ：90° B．B：120° C．C：150° D．D：180° （10.0 分）6.具有自关断能力的电力半导体器件称为() A ．A ：全控型器件 B．B：半控型器件 C．C：不控型器件 D．D：触发型器件 （10.0 分）7.IGBT 是一个复合型的器件，它是（） A ．A ：GTR 驱动的MOSFET 1 / 1 电力电子技术-西南大学2016 年作业 B．B：MOSFET 驱动的GTR C．C：MOSFET 驱动的晶闸管 D．D：MOSFET 驱动的GTO （10.0 分）8.从晶闸管开始承受正向电压的到晶闸管导通时刻的电度角称为 （）。 A ．A ：控制角 B．B：延迟角 C．C：滞后角 D．D：重叠角 （10.0 分）9.将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是() A ．A ：有源逆变器 B．B：A/D 变换器 C．C：D/A 变换器 D．D：无源逆变器 （10.0 分）10.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（） A ．A ：减小至维持电流以下 B．B：减小至擎住电流以下 C．C：减小至门极触发电流以下 D．D：减小至5A 以下 （10.0 分）11.降压斩波电路中，已知电源电压U =16V，负载电压U =12V，斩波 d o 周期T=4ms，则开通时T = （） on 1 / 1 电力电子技术-西南大学2016 年作业 A ．A ：1ms B．B：2ms C．C：3ms D．D：4ms （10.0 分）12.三相半波可控整流电路的自然换相点是（） A ．A ：交流相电压的过零点 B．B：本相相电压与相邻相电压正半周的交点处 C．C：比三相不可控整流电路的自然换相点超前30º D．D：比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º （10.0 分）13.单相桥式半控整流电路中，电阻性负载，流过每个晶闸管的有效电 流I ＝() T A ．A ：1I B．B：0.5I C．C：( １/1.747)*I D．D：1.747*I 主观填空题 题目说明: （10.0 分）14.过电压产生的原因()、()，可采取()、()和（）保护。 答：过电压分为外因过电压和内因过电压两类，过压的保护器件有：稳压二级管;压敏二级 管;双向触发二级管; （10.0 分）15.设三相电源的相电压为U ，三相半波可控整流电路接电阻负载时， 2 晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 （），其承受的最大正 向电压 （）。