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缺陷修复电路和存储器.pdfVIP

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  • 2023-01-30 发布于四川
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缺陷修复电路和存储器.pdf

    本申请实施例涉及一种缺陷修复电路和存储器，缺陷修复电路包括：测试模块，用于在测试模式下对存储单元阵列进行缺陷测试，以确定缺陷存储单元，并输出与存储单元相对应的测试地址信息和缺陷标识信号；缺陷信息存储模块，与测试模块连接，用于响应于缺陷标识信号，存储缺陷地址信息，缺陷地址信息为缺陷存储单元的测试地址信息，还用于响应于外部输入的修复选择信号输出第一地址信息，第一地址信息为多个缺陷地址信息中的一个；修复模块，与缺陷信息存储模块连接，用于根据接收到的第一地址信息，以对相应的缺陷存储单元进行修复。在本实施

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212303083 U (45)授权公告日 2021.01.05 (21)申请号 202021992198.3 (22)申请日 2020.09.11 (73)专利权人 长鑫存储技术（上海）有限公司

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