一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器.pdfVIP

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2023-02-01 发布于四川
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一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器.pdf

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本实用新型公开了一种梳状硅像素探测单元及梳状硅像素探测器，梳状硅像素探测器为采用梳状硅像素探测单元组成的梳状硅像素探测单元阵列。梳状硅像素探测单元包括硅基体，硅基体顶面生成有二氧化硅层，二氧化硅层内刻蚀有P+阴极，硅基体的底面刻蚀有n+阳极；P+阴极由第一梳状阴极和第二梳状阴极组成，第一梳状阴极和第二梳状阴极由一个L型阴极以及位于L型阴极内并与其连接的多个条型阴极组成，两者的L型阴极相距一定距离相对设置，两者的多个条型阴极相互平行交叉设置，且第一梳状阴极的L型阴极不与第二梳状阴极的条型阴极连接，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212323002 U (45)授权公告日 2021.01.08 (21)申请号 202021495440.6 (22)申请日 2020.07.23 (73)专利权人湖南正芯微电子探测器有限公司