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- 2023-02-08 发布于四川
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本申请公开了一种发光芯片结构,包括:发光外延层,其具有第一类型半导体层以及第二类型半导体层;绝缘保护层,其覆盖在发光外延层上,绝缘保护层的同一侧上开设有第一通道和第二通道;第一导电层和第二导电层,第一导电层设置在第一通道内并与第一类型半导体层电连接,第二导电层设置在第二通道内并与第二类型半导体层电连接,第一导电层的表面和第二导电层的表面均与绝缘保护层的上表面齐平;第一电极和第二电极,第一电极设置在绝缘保护层的上表面上并连接第一导电层,第二电极设置在绝缘保护层的上表面上并连接第二导电层。解决现有技
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218447961 U
(45)授权公告日 2023.02.03
(21)申请号 202222479685.5
(22)申请日 2022.09.19
(73)专利权人 重庆康佳光电技术研究院有限公
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