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本实用新型属涉及坩埚技术领域，尤其涉及一种晶体生长坩埚，现提出如下方案，其包括；所述的坩埚本体包含中心导热柱和隔热环；坩埚本体的底板内侧壁上设有平底凹槽；平底籽晶设置在平底凹槽内；坩埚本体的底部设有中心导热柱；中心导热柱与晶体生长设备的籽晶杆冷源相连；中心导热柱外壁上有隔热凹槽；隔热凹槽内设有隔热环；坩埚本体的中上部设有设有承载台阶；承载台阶的上表面设有高度调节环；高度调节环的上侧周边设有隔板；提高晶体的质量，提高生产效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212404351 U
(45)授权公告日 2021.01.26
(21)申请号 202020812994.8
(22)申请日 2020.05.15
(73)专利权人 惠磊光电科技(上海)有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
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