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本实用新型公开一种硅基三维扇出集成封装结构，属于集成电路晶圆级封装技术领域。所述硅基三维扇出集成封装结构包括硅基，所述硅基正面制作有TSV盲孔并且表面沉积有无机钝化层；所述TSV盲孔中制作有铜柱并在表面制作有第一n层再布线和金属焊垫；所述硅基背面刻蚀有凹槽，第一芯片通过粘结剂埋在所述凹槽中，所述第一芯片的焊垫朝外；所述硅基背面填充有干膜材料，并且所述硅基背面依次制作有钝化层、第二n层再布线和凸点。本实用新型通过使用硅基实现三维扇出型晶圆级封装，完成高密度异构芯片三维集成，其封装效率、集成度、性能
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212434614 U
(45)授权公告日 2021.01.29
(21)申请号 202020874147.4
(22)申请日 2020.05.22
(73)专利权人 中国电子科技集团公司第五十八
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
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