原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种氧化镓基半导体结构及其制备方法，该氧化镓基半导体结构包括：氧化镓基外延层，具有多个沟道，该多个沟道形成于该氧化镓基外延层上表面且相互间隔第一距离；多个低势垒肖特基电极，形成于所述多个沟道之间的氧化镓基外延层上表面；以及高势垒肖特基电极，形成于所述氧化镓基外延层上表面，且覆盖所述多个沟道及所述多个低势垒肖特基电极。该氧化镓基半导体结构同时结合了高、低势垒的优势，具有较低的开启电压的同时可以维持较小的反向漏电流的优势，能够保证开态电阻不会有明显增大，甚至会有降低的效果，能够使得双势垒
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111129166 A
(43)申请公布日
2020.05.08
(21)申请号 20191
您可能关注的文档
最近下载
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
版权声明书
用户编号：8063122115000010
文档评论（0）