电子管芯测试器件和方法.pdfVIP

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2023-02-10 发布于四川
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电子管芯测试器件和方法.pdf

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本公开的实施例涉及电子管芯测试器件和方法。存储器单元包括具有半导体区和绝缘区的衬底。第一绝缘层在衬底上延伸。相变材料层位于第一绝缘层上。存储器单元还包括具有导电轨的互连网络。延伸穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触。延伸穿过第一绝缘层的第二导电通孔的第一端与相变材料层和导电轨两者接触，并且第二导电通孔的第二端仅与绝缘区接触。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115701225 A (43)申请公布日 2023.02.07 (21)申请号 202210914411.6 H10N 70/20 (2023.01) (22)申请日 2022.08.